第一節(jié) 半導(dǎo)體二極管
- 鍺二極管的導(dǎo)通電壓約2019-01-20
- 二極管兩端的反向偏置電壓増高時(shí)，在達(dá)到_電壓以前，通過(guò)的電流很小2019-01-20
- 半導(dǎo)體一極管導(dǎo)通的必要且充分條件是2019-01-20
- 當(dāng)溫度升高后，半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力將2019-01-20
- 把一個(gè)二極管直接同一個(gè)電動(dòng)勢(shì)為1.5V、內(nèi)阻為0的電池正向連接，則2019-01-20
- 如圖2-l-18所示，四只首尾串聯(lián)的二極管要組成橋式整流電路，A,B,C.D四個(gè)端點(diǎn)應(yīng)接2019-01-20
- 二極管的導(dǎo)通條是2019-01-20
- 發(fā)光二極管的正向電壓一般是2019-01-20
- 電路如圖所2-1-17所示，VD1和vD2為理想一極管，R=6kΩ，E1=7v，E2=15V，VD1和VD2的狀態(tài)分別是2019-01-20
- 圖2-1-16給出了鍺二極管和硅二極管的伏安特性曲線，硅管的特性曲線是2019-01-20
- 當(dāng)溫度升高后，二極管的正向電壓和反向電流的變化分別是2019-01-20
- 由Si二極管vD和電阻尺(尺=4kΩ）組成的電路如圖2-1-15所示，該電路中電流比較準(zhǔn)確的2019-01-20
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